Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия:

С. С. Туленин, аспирант, эл. почта: stast1989@mail.ru
В. Ф. Марков, зав. каф. физической и коллоидной химии

Уральский институт Государственной противопожарной службы МЧС России, Екатеринбург, Россия:

Л. Н. Маскаева, профессор

Методом химического осаждения из водных сред при 80 ^оС синтезирован нанокристаллический сульфид индия (III) в пленочном и порошкообразном состоянии. Методом рентгеновской дифракции выявлена кубическая структура пленок In₂S₃ с постоянной кристаллической решетки а = 1,0734 нм. Растровой электронной микроскопией установлено, что сульфид индия (III) в порошкообразном виде представлен сферическими агрегатами диаметром от 0,3 до 5,5 мкм, составленными из кристаллитов плоской формы размером ~30 нм. Пленки сформированы из нитевидных образований от 40 до 70 нм. Элементным анализом тонкопленочного In₂S₃ установлено увеличение в нем содержания кислорода при термическом отжиге в интервале температур 275–495 ^оС от 8,5 до 67,8 % (ат.) с одновременным снижением содержания серы с 53,3 до 5,5 % (ат.). Термогравиметрическим анализом в среде аргона выявлена устойчивость порошкообразного In2S3 к термической деструкции до 300 ^оC, дальнейший нагрев ведет к фазовому переходу α-In2S3 в β-модификацию.

Авторы выражают благодарность сотрудникам ИХТТ УрО РАН А. Н. Ермакову и Р. Х. Самигулиной за проведенные рентгенофазовый и термогравиметрический анализы.
Работа поддержана Министерством образования и науки РФ в рамках госзадания № 4.1270.2014/К, программой 211 Правительства Российской Федерации № 02.A03.21.0006 и грантом РФФИ № 14-03-00121.

1. John T. T., Kartha C. S., Vijayakumar K. P., Abeb T., Kashiwaba Y. Spray pyrolyzed β-In₂S₃ thin lms: effect of postdeposition annealing // Applied Physics A. 2006. Vol. 82. P. 703–707.
2. Боднарь И. В., Полубок В. А., Рудь В. Ю., Рудь Ю. В. Фоточувствительные структуры на кристаллах In₂S₃ // Физика и техника полупроводников. 2003. Т. 37, № 11. С. 1346–1348.
3. Боднарь И. В., Полубок В. А., Гременок В. Ф., Рудь В. Ю., Рудь Ю. В. Барьеры Шоттки на основе пленок n-In₂S₃, полученных лазерным испарением // Там же. 2007. Т. 41, № 1. С. 48–52.
4. Bai H. X., Zhang L. X., Zhang Y. C. Simple synthesis of urchin-like In₂S₃ and In₂O₃ nanostructures // Materials letters. 2009. No. 63. P. 823–825.
5. Zhiwei L., Xiaojun T., Zhishen W., Pingyu Z., Zhijun Z. Preparation of In₂S₃ nanopraricle by ultrasonic dispersion and its tribology property // Ultrasonics Sonochemistry. 2009. Vol. 16. P. 221–224.
6. Tulenin S. S., Bakhteev S. A., Yusupov R. A., Maskaeva L. N., Markov V. F. Diagrams of the formation of In₂S₃ and In₂Se₃ films on vitroceramic upon precipitation, according to potentiometric titration // Russian Journal of Physical Chemical A. 2013. Vol. 87, No. 10. P. 1771–1777.
7. Chen L., Lan W., Lin R., Shen H., Chen H. Optical properties of In₂O₃ oxidized from InN deposited by reactive magnetron sputtering // Applied Surface Science. 2006. Vol. 252. P. 8438–8441.
8. Бусев А. И. Аналитическая химия индия. — М. : АН СССР, 1958. — 244 с.
9. Коровин С. С. Редкие и рассеянные элементы. Химия и технология. — М. : МИСиС, 1969. — 376 с.
10. Markov V. F., Tulenin S. S., Maskaeva L. N., Kuznetsov M. V., Barbin N. M. Composition and submicron structure of chemically deposited Cu₂Se–In₂Se₃ films // Technical Physics Letters. 2012. Vol. 38, No. 3. P. 290–293.
11. Федоров П. И., Мохосоев М. В., Алексеев Ф. П. Химия галлия, индия и таллия. — Новосибирск : Наука, 1977. — 224 с.
12. White R., Thomas P. S., Philips M. R., Wuhrer R., Guerbois J. P. TG-MS characterization of the reaction products of yellow and malachite artist's pigments // Journal of Thermal Analysis and Calorimetry. 2007. Vol. 88, No. 1. P. 181–184.
13. Duval C. Inorganic termogravimetric analysis. — London : Elsevier, 1953. — 722 p.